截至2023，台积电（TSMC）确实宣布了在美国设立3纳米晶圆厂的计划。以下是该计划的详细信息：
1. 投资规模：台积电计划在美国亚利桑那州建设一座3纳米晶圆厂，预计总投资将超过120亿美元。
2. 建设地点：该晶圆厂将位于亚利桑那州的凤凰城地区，占地约1200英亩。
3. 建设进度：台积电计划在2023年开始建设，预计2024年完成主体建设，2025年开始试产，2026年正式量产。
4. 产能：该晶圆厂预计将拥有每月约10万片晶圆的产能，主要用于生产3纳米工艺的芯片。
5. 合作：台积电将与亚利桑那州政府合作，为晶圆厂提供基础设施和优惠政策。台积电还计划与当地企业合作，推动产业链的完善。
6. 意义：这是台积电在美国的首个晶圆厂，标志着其在全球半导体产业布局的重要一步。此举有助于台积电在全球市场竞争中占据有利地位，同时也有利于美国半导体产业的发展。
7. 技术：该晶圆厂将采用台积电的3纳米工艺，这是目前全球最先进的半导体制造工艺之一。3纳米工艺将进一步提升芯片的性能和能效，为人工智能、高性能计算等领域提供支持。
台积电在美国设立3纳米晶圆厂是一项具有重大意义的举措，将有助于推动全球半导体产业的发展。
